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HEM-200 高低溫霍爾效應(yīng)測試系統(tǒng)

產(chǎn)品分類：磁性測試

關(guān)鍵詞：濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)，半導(dǎo)體系統(tǒng)組成：HEM-200 高低溫霍爾效應(yīng)測試系統(tǒng)本儀器系統(tǒng)由電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源、高精度電壓表、矩陣卡、霍爾效應(yīng)樣品支架、標(biāo)準(zhǔn)樣品、系統(tǒng)軟件組成。本套系統(tǒng)測試應(yīng)用的是最新的KEITHLEY 進(jìn)口測試源表，配合配套的低延遲寬帶寬的矩陣卡，極大提高了樣品的供電電流和測試樣品的霍爾電壓的量程和精度，寬電流供電和寬電壓測試范圍可以覆蓋市面上絕大多

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產(chǎn)品詳情

關(guān)鍵詞：濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)，半導(dǎo)體

系統(tǒng)組成：HEM-200 高低溫霍爾效應(yīng)測試系統(tǒng)本儀器系統(tǒng)由電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源、高精度電壓表、矩陣卡、霍爾效應(yīng)樣品支架、標(biāo)準(zhǔn)樣品、系統(tǒng)軟件組成。本套系統(tǒng)測試應(yīng)用的是最新的KEITHLEY 進(jìn)口測試源表，配合配套的低延遲寬帶寬的矩陣卡，極大提高了樣品的供電電流和測試樣品的霍爾電壓的量程和精度，寬電流供電和寬電壓測試范圍可以覆蓋市面上絕大多數(shù)的半導(dǎo)體器件。用于測量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的，因此霍爾效應(yīng)測試系統(tǒng)是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必備的工具。實驗結(jié)果由軟件自動計算得到，可同時得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表面載流子濃度 (Sheet Carrier Concentration)、遷移率 (Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(shù)(Hall Coefficient)、磁致電阻 (Magnetoresistance)等等。

系統(tǒng)參數(shù):

我們可提供各類霍爾效應(yīng)測試系統(tǒng)用于教學(xué)和研究

可測試材料:

物理學(xué)參數(shù)	載流子濃度(Carrier Density)	10³cm^-3~ 10²³cm^-3
	遷移率(Mobility)	0.1cm²/voltsec ~10⁸cm²/voltsec
	電阻率范圍(Resistivity)	10^-70hmcm~ 10¹⁰0hmcm
	霍爾電壓(Hall voltage)	10nV~ 200V
	霍爾系數(shù)	±10^-5~ 10²⁷cm^-3/C
可測試材料類	半導(dǎo)體材料	SiGe,SiC,InAs,InGaAs,InP,AlGaAs,HgCdTe 和鐵氧體材料等
	低阻抗材料	石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、TMR 材料等
	高阻抗材料	半絕緣的 GaAs，GaN，CdTe 等
	材料導(dǎo)電粒子	材料的P型與N型測試
	磁鐵類型	磁場可變電磁鐵
磁場環(huán)境	磁場大小	2000mT(極頭間距為:10mm) 1500mT(極頭間距為:20mm ) 1000mT(極頭間距為:30mm ) 800mT(極頭間距為:40mm) 600mT(極頭間距為:50mm)
	霍爾效應(yīng)測試磁場	霍爾效應(yīng)中極頭間距為 30mm，此時磁場最大為1000mT
	均勻區(qū)	1%
	最小分辨率	0.1Gs
	可選磁環(huán)境	可根據(jù)客戶需求定制相關(guān)磁性大小的電磁鐵
電學(xué)參數(shù)	電流源	±0.1nA—±1000mA
	電流源分辨率	0.01nA
	測量電壓	±10nV—±200V
溫度環(huán)境		80K~500K
溫度環(huán)境	控溫精度	0.1K
其他配件	遮光性	外部安裝遮光部件，使得測試材料更加穩(wěn)定
	樣品尺寸	10mm10mm(標(biāo)準(zhǔn)) 16mm16mm（最大）
	箱式機(jī)柜	6006001000mm
	測試樣片	提供中國科學(xué)院半導(dǎo)體所霍爾效應(yīng) 標(biāo)準(zhǔn)測試樣片及數(shù)據(jù)：1 套（硅、鍺、砷化鎵、銻化銦）
	制作歐姆接觸	電烙鐵、銦片、焊錫、漆包線等

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